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Analysis of Intermediate Band Photovoltaic Solar Cell Based on ZnTe:O
S. Khelifi,H. Mazari,A. Belghachi, K. Ameur,Z. Benamara,M. Mostefaoui,L. Boudaoud
JOURNAL OF NANOELECTRONICS AND OPTOELECTRONICSno. 3 (2015): 333-337
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Current-Voltage-Temperature (I-V-T) Characteristics of Schottky-Gate of the Structures AlGaN/GaN HEMTs
M. MOSTEFAOUI,H. MAZARI, S. MANSOURI, Z. BENAMARA,R. KHELIFI, K. AMEUR, N. BENSEDDIK, N. BENYAHYA,J. M. BLUET, C. BRU-CHEVALLIER, W. CHIKHAOUI
Sensors & Transducersno. Special Issue (2014): 280-284
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Physical Mechanisms Responsible for Electrical Conduction in Pt / GaN Schottky Diodes
H. MAZARI, K. AMEUR, N. BENSEDDIK, Z. BENAMARA,R. KHELIFI, M. MOSTEFAOUI, N. ZOUGAGH, N. BENYAHYA,R. BECHAREF, G. BASSOU,B. GRUZZA,J. M. BLUET,
Sensors & Transducers（2014）
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Characterization and Modeling I(V) of the Gate Schottky Structures HEMTs Ni/Au/AlInN/GaN
N. Benyahya,H. Mazari, N. Benseddik, Z. Benamara, M. Mostefaoui, K. Ameur, K. Ameur,J. M. Bluet, W. Chikhaoui, C. Bru-Chevallier
Sensors & Transducersno. Special Issue (2014): 87-92
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