基本信息
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个人简介
Polina A. Kuchinskaya received the B.S. degree in physics from the Novosibirsk State Technical University, Novosibirsk, Russia, in 2008, and the engineer degree in semiconductor physics in 2009. She is currently a postgraduate student of the Institute of Semiconductor Physics, SB RAS, where she is researching deformation and morphology of surfaces in the process of Ge epitaxial growth on Si substrates. E-mail: sea0I3@yandex.ru
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Semiconductorsno. 8 (2020): 853-859
XXXI INTERNATIONAL CONFERENCE ON EQUATIONS OF STATE FOR MATTER (ELBRUS 2016) (2016)
S. B. Erenburg,S. V. Trubina,V. V. Zvereva,V. A. Zinov’ev, A. V. Dvurechenskiy,P. A. Kuchinskaya,K. O. Kvashnina
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