基本信息
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职业迁徙
个人简介
Runxiao Shi received the B.E. degree from Southeast University, Nanjing, China, in 2017, and the M.E. degree from Waseda University, Tokyo, Japan, in 2018. He is currently pursuing the Ph.D. degree with the Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong.
His research interests include flexible circuits based on metal-oxide thin-film transistors (TFTs).
研究兴趣
论文共 29 篇作者统计合作学者相似作者
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IEEE Electron Device Lettersno. 99 (2024): 1-1
IEEE Open Journal on Immersive Displays (2024): 20-27
引用0浏览0EIWOS引用
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0
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICESno. 99 (2024): 1-6
IEEE Transactions on Electron Devicesno. 10 (2023): 5140-5145
引用0浏览0EIWOS引用
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Journal of the Society for Information Displayno. 6 (2022): 505-513
SID Symposium Digest of Technical Papersno. 1 (2022): 1122-1125
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