基本信息
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职业迁徙
个人简介
杨树,教授,博士生导师。主要从事宽禁带半导体功率器件设计、微纳制造及可靠性研究。自主研制出1kV/1.1mΩ·cm2单极型和1.8kV/0.5mΩ·cm2双极型垂直GaN器件,功率品质因数国际较为领先;研制出国际上首个无电流崩塌的新型垂直GaN器件,克服了长期困扰GaN器件的动态性能退化难题;提出了针对GaN器件的氮化界面层结构,有效抑制介质/GaN界面陷阱、提升器件可靠性。主持国家自然科学基金面上项目和青年项目、国家重点研发计划课题、教育部联合基金、浙江省杰出青年科学基金、台达电力电子重点项目、功率半导体企业委托项目等。在IEEE EDL、IEEE T-PEL和功率半导体领域国际会议IEEE ISPSD、IEEE IEDM等发表SCI/EI论文80余篇。担任IEEE EDS Power Devices and ICs技术委员会委员,功率半导体领域顶级会议IEEE ISPSD技术委员会委员(2019~2023),中国电源学会女科学家工作委员会副主任委员,Elsevier Power Electronic Devices and Components联合主编,IEEE JESTPE客座编委。
研究兴趣
论文共 148 篇作者统计合作学者相似作者
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时间
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主题
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合作者
合作机构
IEEE Transactions on Electron Devicesno. 99 (2024): 1-12
IEEE Electron Device Lettersno. 4 (2023): 594-597
Journal of Semiconductorsno. 7 (2023): 070301-070301
引用2浏览0引用
2
0
IEEE Transactions on Electron Devicesno. 2 (2023): 619-626
IEEE Transactions on Electron Devicesno. 7 (2023): 3754-3761
引用1浏览0EIWOS引用
1
0
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES (2023)
2023 35th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)pp.28-31, (2023)
引用0浏览0EIWOS引用
0
0
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICESno. 4 (2023): 2129-2134
2023 35th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)pp.91-94, (2023)
引用0浏览0EIWOS引用
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