基本信息
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职业迁徙
个人简介
刘卫丽,女,1975年6月生,博士,中共党员,中科院上海微系统所研究员,博士生导师,支部书记。
现为全国纳米标准技术委员会微纳加工技术标准化工作组副秘书长。 2002年获中科院上海微系统所微电子学与固体电子学博士学位。2001.7-2002.7及2004.3-2004.7期间作为访问学者赴香港城市大学和香港理工大学进行合作研究。
主要从事SOI新材料和器件、纳米电子材料和器件的研究,在SOI方面,进行了SOI创新技术研究,突破4英寸SOI制备的关键技术;深入研究多孔硅外延技术,成功制备出ELTRAN SOI新材料,为解决常规SOI MOS器件的自加热效应的难题,创造性地研究成功以AlN、DLC为埋层的SOI新结构,并以SOI技术研究成功绝缘层上SiGe(SGOI),并在此基础上研制出高质量应变硅材料。同时研究了纳米浮栅存储器和相变存储器,创新性地将埋嵌于HfO2、HfAlO等高k介质材料中纳米Ge晶应用于纳米浮栅存储器,并在开辟C-RAM新研究方向做了大量的工作。近年来,先后在“Applied Physics Letters”等国内外刊物发表一百多篇,其中SCI论文60余篇,申请发明专利20项,其中授权7项。现主持国家863项目、国家自然科学基金和上海市重点攻关项目等。2004年获上海市青年科技启明星、中国科学院优秀博士学位论文,2005年获上海市科技进步一等奖(排名第11),2006年获国家科技进步一等奖(排名第10),2007年获中科院杰出科技成就奖(排名第10)、上海市青年科技启明星跟踪计划。
现为全国纳米标准技术委员会微纳加工技术标准化工作组副秘书长。 2002年获中科院上海微系统所微电子学与固体电子学博士学位。2001.7-2002.7及2004.3-2004.7期间作为访问学者赴香港城市大学和香港理工大学进行合作研究。
主要从事SOI新材料和器件、纳米电子材料和器件的研究,在SOI方面,进行了SOI创新技术研究,突破4英寸SOI制备的关键技术;深入研究多孔硅外延技术,成功制备出ELTRAN SOI新材料,为解决常规SOI MOS器件的自加热效应的难题,创造性地研究成功以AlN、DLC为埋层的SOI新结构,并以SOI技术研究成功绝缘层上SiGe(SGOI),并在此基础上研制出高质量应变硅材料。同时研究了纳米浮栅存储器和相变存储器,创新性地将埋嵌于HfO2、HfAlO等高k介质材料中纳米Ge晶应用于纳米浮栅存储器,并在开辟C-RAM新研究方向做了大量的工作。近年来,先后在“Applied Physics Letters”等国内外刊物发表一百多篇,其中SCI论文60余篇,申请发明专利20项,其中授权7项。现主持国家863项目、国家自然科学基金和上海市重点攻关项目等。2004年获上海市青年科技启明星、中国科学院优秀博士学位论文,2005年获上海市科技进步一等奖(排名第11),2006年获国家科技进步一等奖(排名第10),2007年获中科院杰出科技成就奖(排名第10)、上海市青年科技启明星跟踪计划。
研究兴趣
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Journal of Nanoparticle Researchno. 5 (2024): 1-11
ECS Journal of Solid State Science and Technologyno. 4 (2022)
ECS Journal of Solid State Science and Technologyno. 1 (2022)
ECS Journal of Solid State Science and Technologyno. 11 (2022)
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Journal of Materials Chemistry C (2022)
ECS Journal of Solid State Science and Technologyno. 4 (2021)
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