Оценка Параметров Чувствительности КМОП БИС По Одиночным Тиристорным Эффектам При Лазерном Воздействии Со Стороны Подложки

Представлены результаты расчетно-экспериментального моделирования одиночных тиристорных эффектов при воздействии сфокусированного лазерным излучением с тыльной стороны кристалла – со стороны подложки. Проанализированы возможности применения методики локального облучения для оценки эквивалентных линейных потерь энергии заряженных частиц в случае лазерного воздействия со стороны подложки. Проведено сравнение экспериментальных результатов, полученных на лазерной установке и ускорителях заряженных частиц для ряда современных БИС.