В работе приведены основные аспекты контроля одиночных радиационных эффектов в микросхемах АЦП при воздействии тяжелых заряженных частиц (ТЗЧ).

Стандартные методы оценки параметров чувствительности к воздействию тяжелых заряженных частиц (ТЗЧ) путем проведения испытаний с плотностями потока частиц, на порядки превышающими плотности потока в реальных условиях эксплуатации, занижают стойкость микросхем со встроенной коррекцией случайных ошибок. В работе рассмотрен подход к проведению расчетно-экспериментальной оценки стойкости, позволяющий корректно оценивать параметры чувствительности таких микросхем по одиночным радиационным эффектам (ОРЭ) сбоев.

Представлены методические особенности при проведении испытаний сложно-функциональных программно-управляемых СБИС на стойкость к воздействию специальных факторов. Приведены экспериментальные данные, иллюстрирующие указанные методические особенности, влияющие на достоверность получаемых оценок стойкости.

Представлен рациональный порядок записи в ТУ на ЭКБ информации о радиационной стойкости (РС), полученной в ходе испытаний и расчетно-экспериментальных оценок.

Представлены результаты расчетно-экспериментального моделирования одиночных тиристорных эффектов при воздействии сфокусированного лазерным излучением с тыльной стороны кристалла – со стороны подложки. Проанализированы возможности применения методики локального облучения для оценки эквивалентных линейных потерь энергии заряженных частиц в случае лазерного воздействия со стороны подложки. Проведено сравнение экспериментальных результатов, полученных на лазерной установке и ускорителях заряженных частиц для ряда современных БИС.

The results of computation-experimental modeling of single-event latchup effects under the laser radiation focused on the IC crystal backside—the substrate side—are presented. Possibilities of applying the technique of local laser irradiation to evaluate equivalent linear energy transfer of heavy ions in the case of the laser irradiation from the substrate side of IC crystal are analyzed. The experimental results obtained using the pulsed laser installation and accelerators of charged particles for a series of modern LSI ICs are compared.

The sensitivity estimation method from effects of single functional upsets of FPGAs under actions of single nuclear particles, which consists in the experimental estimation of the cross section of single upsets of the configuration memory cell and in the calculated estimation of the cross section of the functional upset of the unit, is presented. The method is intended to reduce the scope of experimental investigations by optimizing the functional implementation of the unit. It is shown that the FPGA sensitivity to effects of single functional upsets significantly depends on the unit implemented in it.