КИНЕТИКА РАДИКАЛЬНОГО ОКИСЛЕНИЯ КРЕМНИЯ, "электронная Техника. Серия 3. Микроэлектроника"

Исследована кинетика радикального окисления кремниевой пластины в системе индивидуальной загрузки при проведении процесса окисления с генерацией пара у поверхности пластины (in situ steam-generation – ISSG), основанном на сгорании водорода. Для определения констант радикального окисления использовались полученные зависимости толщины оксида от времени при различной температуре и фиксированных остальных параметрах технологического процесса. Показано, что радикальное ISSG окисление при низком давлении характеризуется высокой скоростью роста и определяется концентрацией радикалов кислорода. Константы радикального окисления позволяют объяснить слабую чувствительность толщины оксида к кристаллической ориентации, степени легирования и напряжениям. Описание радикального окисления линейно параболическим и экспоненциальным законами роста имеет практическое значение, так как позволяет совместно с моделированием состава газовой среды прогнозировать ISSG окисление в широком диапазоне параметров процесса.