В работе исследуется кинетика низкотемпературного радикального окисления кремния в потоке озона, сформированном в озонаторе (генераторе озона). Полученные данные подтверждают уникальные возможности процесса низкотемпературного окисления в озоне - возможность формирования тонкого оксида кремния толщиной 10…20 A при температуре 500 °С, что примерно на 150…200 градусов ниже, чем для существующего процесса ISSG окисления.

Рассмотрена объёмная диффузия по междоузельному механизму и по механизму вакансий примесного атома Cu в гранецентрированном кубическом нитриде титана. Рассчитаны из первых принципов в рамках теории функционала плотности по методу восходящих изображений значения энергетических барьеров миграции атомов меди на обеих подрешётках монокристаллического TiN и по междоузельным положениям, а также энергетические барьеры миграции вакансий в окрестности примесного атома Cu. Проведены оценки корреляционного множителя для диффузии по вакансионному механизму, получены зависимости изменения межатомных расстояний при миграции Cu, а также продемонстрировано изменение плотности электронных состояний при скачке примесного атома Cu на близлежащую вакансию титана.

Обзорная статья посвящена мемристорным структурам с пористыми материалами в качестве буферного слоя. Использование дополнительного пористого материала к основному переключающему слою позволяет уменьшить разброс рабочих параметров мемристора, увеличить количество циклов переключения и стабильность высокоомных и низкоомных состояний.

Исследована кинетика радикального окисления кремниевой пластины в системе индивидуальной загрузки при проведении процесса окисления с генерацией пара у поверхности пластины (in situ steam-generation – ISSG), основанном на сгорании водорода. Для определения констант радикального окисления использовались полученные зависимости толщины оксида от времени при различной температуре и фиксированных остальных параметрах технологического процесса. Показано, что радикальное ISSG окисление при низком давлении характеризуется высокой скоростью роста и определяется концентрацией радикалов кислорода. Константы радикального окисления позволяют объяснить слабую чувствительность толщины оксида к кристаллической ориентации, степени легирования и напряжениям. Описание радикального окисления линейно параболическим и экспоненциальным законами роста имеет практическое значение, так как позволяет совместно с моделированием состава газовой среды прогнозировать ISSG окисление в широком диапазоне параметров процесса.

Проведено моделирование химических процессов в реакторе пониженного давления при проведении процесса окисления с генерацией пара у поверхности кремниевой пластины (in situ steam-generation – ISSG) на установке быстрого термического окисления. С использованием модели реактора идеального смешения определен состав газовой среды (концентрации компонентов смеси) в зависимости от входных параметров процесса: температуры, давления, расходов водорода и кислорода. Установлены условия образования в окислительной камере максимальной концентрации атомов кислорода, определяющих процесс радикального окисления. Проведена экспериментальная верификация расчета.