Рассмотрена возможность определения целевых параметров твердотельной субапертурной АФАР с применением широкополосного ЛЧМ-сигнала от начального этапа разработки до верификационных испытаний.

РАЗДЕЛ VII.НАНОТЕХНОЛОГИИ Краснов В.В. 1 , Миннебаев В.М. 2,3, Миннебаев С.В. 2 , Редька Ан.В. 2 Исследование GaN HEMT при криотемпературах 1 ФИАН им.Лебедева 2 АО «НПП «Пульсар» 3 МТУ МИРЭА (Россия, Москва) doi: 10.

In this paper we present the results of the design and production of an air-cooled X-band solid-state power amplifier based on AlGaN/GaN/SiC Schottky FET. The power amplifier includes: preliminary power amplifier, output power amplifiers, set of secondary power supplies, digital control unit, monitoring system for the power amplifier performance, set of microwave power waveguide combiners.

Развитие микроэлектроники стало возможным благодаря совершенствованию техники и разработанной для этой техники технологии. В работе в ходе подготовки комплекта фотошаблонов для изготовления СВЧ-транзисторов на основе гетероструктур AlGaN/GaN разработана метка совмещения с точностью ±0,2 мкм.

Разработана конструкция малошумящего усилителя миллиметрового диапазона частот для работы в системах радиоастрономического наблюдения, работающего при температурах окружающей среды от 20 K.

The article presents the results of a research of the possibility of using discrete devices based on gallium nitride of the centimeter wavelength range for receivers of space systems and as part of ground-based radio astronomy observation systems using cryogenic cooling units.

Article contains the results of design and production of the waveguide combiner for X-band high-power microwave signal applications.

The results of monitoring the H2O maser observed toward the region GH2O 092.67+03.07 (IRAS 21078+5211) located in the Giant Molecular Cloud Cygnus OB7 are presented. The observations were carried out with the 22-m radio telescope of the Pushchino Radio Astronomy Observatory in 2006–2017. Strong flares of the H2O maser emission with flux densities up to 19 800 Jy were detected. The flares exhibited both global (over the source) and local characters. All the flares were accompanied by strong variations in the H2O spectra within the corresponding radial-velocity ranges. Individual H2O components form both compact clusters and chains 1–2-AU long. Analysis of the variations of the fluxes, radial velocities, and line shapes of features during the flares showed that the medium may be strongly fragmented, with small-scale turbulent motions taking place in the H2Omaser region.

В статье представлены результаты исследования влияния геометрии конструкции активной области кристалла мощного СВЧ транзистора на его тепловой режим работы.

8-каналЬный приЁмопередаЮЩий модулЬ х-диапазонаС первиЧной ЦиФровой обработкой Сигнала в. е. акинин

В статье представлены результаты проектирования и изготовления линейных микрополосковых антенных излучателей, предназначенных для работы в составе приёмо-передающих (ППМ) СВЧ трактов модулей антенных для РЛК с АФАР. В ходе проектирования микрополосковых антенных решёток (МАР) промоделированы две конструкции линейных излучателей, отличающиеся применяемыми материалами и технологией сборки. Измерены радиочастотные характеристики образцов в безэховой камере (БЭК) с целью определения наилучшего варианта для дальнейшего проектирования и изготовления МАР.

воССтановление Модели gan транзиСтора для работы на болЬШоМ Сигнале © и.С. бенуни 1 , е

The features of the electromagnetic modeling of a microwave switch for the frequency range of 1–20 GHz, which is then produced by C3MOSHFET technology on AlGaN/GaN heterostructures using high-K dielectrics and contacts with capacitive coupling, are considered.

В статье представлены результаты проектирования и изготовления антенного электронного блока (АЭБ), предназначенного для работы в составе активной фазированной антенной решëтки (АФАР) бортового радиолокационного комплекса дистанционного зондирования Земли. Рабочий диапазон частот АЭБ ∆F = 9,3-9,8 ГГц. Сектор углов электронного сканирования луча АФАР по азимуту ±1,5 град, по углу места ±15 град. Ширина диаграммы направленности по азимуту в пределах 4-5 град, по углу места в пределах 3,8-4,5 град. Ключевые слова: АФАР, приëмо-передающий модуль, диаграмма направленности, Х-диапазон, антенный электронный блок Сведения об авторах: Белолипецкий Алексей Владимирович, belolipeckij_av@pulsarnpp.ru; Борисов Олег Валерьевич, 466@pulsarnpp.ru; Колковский Юрий Владимирович, д.т.н., профессор, kolk@pulsarnpp.ru; Легай Геннадий Вячеславович, legaj_gv@pulsarnpp.ru; Миннебаев Вадим Минхатович, к.т.н., minnebaev_vm@pulsarnpp.ru; Редька Алексей Владимирович, redka_av@pulsarnpp.ru; Редька Андрей Владимирович, redka_av@pulsarnpp.ru

This paper presents the results of design and manufacture of low noise AlGaN/GaN HEMT for L-band. It has NFmin<1.4 dB gain>15 dB at F=1.5 GHz. GaN HEMT has been designed and manufactured in SRI "Pulsar"

Presented in this paper are the results of simulation, optimization and fabrication of GaAs coplanar MMIC of the p-i-n diodes power limiter with small signal insertion loss lower than 0.3 dB and power limit level less than 100 mW at the input power 1 W within the frequency band up to 18 GHz. The MMIC can be used in order to protect input low noise amplifiers, increasing receiver noise figure less than 0.3 dB

In this paper, the results of design and manufacture of middle power X-band AlGaN/GaN HEMT are presented. It has Gain=11 dB, POUT =1.4 W/mm at F=10 GHz