В статье приводится описание метода проверки LPE (Layout Parasitic Extrаction) в слоях BEOL (Back End Of Line) при разработке технологических файлов PDK(Process Design Kit) с помощью специальной тестовой эмуляционной структуры межсоединений.

Статья посвящена отдельным вопросам оценки качества базовых технологий в условиях ограниченных ресурсов. Авторами проведен анализ условий применения базовых технологий в РФ на основе собранных статистических данных, обуславливающих необходимость специальных методов мониторинга и анализа. Предложен алгоритм оценки соответствия spice-моделей элементной базы текущему состоянию техпроцесса, а также рассмотрены системные вопросы внедрения новых материалов на производственной линии, реализующей семейства базовых технологий.

В условиях текущего уровня развития российской микроэлектроники переход к проектным нормам «28 нм» влечет необходимость использования как более совершенных литографических установок и фотошаблонов (ФШ) более высоких групп качества, так и новых для отечественных разработчиков вычислительных методов, применяемых при проектировании фотошаблонов. В статье производится обзор основных касающихся разработки ФШ технологических и инструментальных особенностей, характерных для литографии проектных норм «28 нм», в сравнении с наиболее современной из имеющихся в России серийных технологий производства СБИС – технологией проектных норм «90 нм».

The article describes additional Methodology-Rule Checks (MRC) for digital design kit (DDK) standard cell libraries, which enable to standardize the topological design of the cell, describe the requirements for tracing and joining cells when assembling into a functional block.

В статье описываются дополнительные методологические проверки MRC (Methodology-Rules-Checks) для библиотек цифровых стандартных ячеек DDK (Digital-Design-Kit), которые позволяют стандартизировать топологическую конструкцию ячейки, описать требования к трассировке и стыковке ячеек при сборке в функциональный блок.

В данной работе предложен метод и разработана система предварительного расчета рабочих точек транзисторов, которая позволяет в реальном времени оценить параметры транзисторов с возможностью учета влияния LDE-параметров на этапе pre-layout-моделирования.

В статье описывается семейство компиляторов радиационно стойких блоков памяти, разработанных в АО «НИИМЭ» для действующих и перспективных конструкторско-технологических платформ проектирования по технологиям КМОП (RHBD) и КНИ с нормами 90/180 нм; приведены ключевые характеристики компиляторов.

Выполнен сравнительный анализ характеристик стандартных ячеек для разных длин канала приборов: с длиной канала транзистора 30 и 40 нм, шага регулярной структуры 140 нм, с разными опциями порогового напряжения; дана оценка изменения характеристик стандартных ячеек в зависимости от высоты топологического конструктива.

Разработан комплект СФБ для использования в СнК в области информационно-управляющих и радиотехнических систем. Приведены характеристики СФБ. Описано окружение для прототипирования и валидации СФБ.

В статье представлена технология разработки параметризированной ячейки произвольной настраиваемой конфигурации с помощью динамических интерфейсных форм. Это позволяет провести декомпозицию задачи по разработке большого количества элементов между сотрудниками, не владеющими навыками программирования.

В работе дана оценка изменению характеристик стандартных цифровых ячеек на этапе размещения топологии вследствие проявления LDE-эффектов и описана специализированная топологическая структура для использования в маршруте проектирования библиотек.

В статье описываются состав и характеристики семейства полноцветных и монохромных активно-матричных дисплеев по технологии КМОП 180 нм, разработанных АО «НИИМЭ» и АО «ЦНИИ «Циклон».

В статье описываются возможности и перспективы контрактной разработки и производства кремниевой микроэлектроники на российской полупроводниковой фабрике, включая описание внедренных базовых технологических процессов и средств проектирования, а также порядок взаимодействия АО «НИИМЭ» и разработчиков микросхем при выполнении заказов на разработку и изготовление пластин с кристаллами заказанных элементов.

Статья посвящена актуальным вопросам управления качеством базовых технологий микроэлектроники. Авторами предложена концепция расширенного рассмотрения базовой технологии, включающей технологический процесс, комплект средств проектирования и формируемую в процессе их применения конфигурацию конструкции СБИС. Рассмотрены основные составляющие системы управления качеством.

Основным производным фактором т. н. эффектов близости в глубоко-субмикронных МОП-транзисторах является стресс атомной решетки кремния. Произведен обзор и анализ возможных вариантов учета данного фактора в компактных моделях.

Описаны основные задачи вычислительной литографии в свете перехода к технологии проектных норм 28 нм. Рассматриваются отличительные особенности процессов SMO, OPC и расстановки SRAF в сравнении с технологией проектных норм 90 нм.

В данной работе предложена методология по повышению точности моделирования и прогнозирования работы схемы в суб-микронных технологиях 90 нм и ниже, способная корректно учитывать LDE-параметры на этапе pre-layout-моделирования.

Произведены обзор и анализ особенностей архитектуры SPICE-моделей МОП-транзисторов, выполненных по глубоко-субмикронным нормам проектирования (45 нм и менее). Рассмотрены подходы к учету статистических компонентов модели, а также основных с точки зрения влияния на электрофизическое поведение МОП-транзистора эффектов близости (LDE).

Разработана эквивалентная схема, методика экстракции SPICE-параметров МДП-варактора на основе результатов проведенных измерений специальных тестовых структур в составе пластин, модель верифицирована, сформирован модуль, учитывающий статистический разброс значений параметров процесса технологического производства. An appropriate equivalent circuit of MOS-varactor has been developed, as well as a technique for extracting its SPICE-parameters, based on the results of test structures measurements. The model has been verified, a statistical module has been created that takes into account the fabrication process parameters variation.

Статья посвящена актуальным вопросам необходимости анализа условий проектирования и производства СБИС с использованием базовых технологий. В работе выделяются особенности формирования информационно-аналитической модели, ее структуры, состава данных, принципов систематизации, приведены примеры реализации и показаны возможности развития, позволяющие проводить независимый анализ с целью выделения приоритетных областей для решения оптимизационных задач участников цепочек создания ценности.