Изучена кинетика процесса химического осаждения пленок оксида тербия из паров комплексного соединения Tb(dpm)3. При осаждении в температурной области 465–560°C формируются пленки толщиной 25–360 нм. Морфология пленок при парциальном давлении прекурсора до 13 Па в атмосфере аргона представлена гладкой поверхностью с отдельными островками. Более высокие давления прекурсора приводят к образованию плотных островковых пленок. В интервале температур осаждения 465–560°C процесс протекает в переходной области между кинетическим режимом с эффективной энергией активации 190 ± 15 кДж/моль и адсорбционным режимом с энергией активации 38 ± 5 кДж/моль. Порядок реакции по прекурсору равен 0.8.

Пленки оксида тербия получены на подложках Si (111) разложением паров Tb(dpm)3 в токе аргона при температурах Tb(dpm)3 170 и 190°C и температурах подложек 470–550°C. Отжиг пленок проводили на воздухе при температурах 400, 650 и 800°C. Методом РФА установлено, что пленки, полученные методом химического осаждения из газовой фазы, состоят из кубического оксида Tb2O3, пленки, отожженные на воздухе при 650 и 800°C, имеют структуру оксида Tb4O7, при 400°C – структуру Tb11O20. Согласно данным РФЭС, поверхностный слой пленки Tb2O3 толщиной 9 нм имеет правильное отношение O : Tb = 1.48, а у пленки, отожженной при 800°C, O : Tb = 1.85. По данным КР-спектроскопии, концентрация углеродсодержащих фрагментов на поверхности пленок уменьшается с понижением температуры подложки, а отжиг при 800°C на воздухе позволяет полностью от них избавиться.