We report on the technique for incorporation of As in GaN layers using MOCVD. We formed GaAs deposits on GaN surfaces and converted then to GaAsN during GaN overgrowth. Stacked GaAsN insertions separated by the GaN spacers were also fabricated, Cathodoluminescence (CL) emission related to As having spectral position and relative intensity defined by deposition parameters is observed.

Bei angeborenen Enzymdefekten ist das Vorhandensein von organspezifischen Isoenzymen des betreffenden Enzyms wichtig für die Ausbreitung der Funktionsstörung im Organismus. Die Ergebnisse der Elektrophorese, der Bestimmung der Substrataffinität und der Thermoinaktivierung der GPI in menschlichen Organextrakten lieferten keinen Anhaltspunkt für ein organspezifisches Isoenzymsystem. Die Verteilung der GPI-Aktivität in verschiedenen postmortal und intravital entnommenen Gewebsproben ist relativ gleichförmig mit Ausnahme der Erythrocyten.