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15.7 A 32Mb RRAM in a 12nm FinFet Technology with a 0.0249μm2 Bit-Cell, a 3.2GB/S Read Throughput, a 10KCycle Write Endurance and a 10-Year Retention at 105°C
Yi-Cheng Huang, Shang-Hsuan Liu, Hsu-Shun Chen, Hsin-Chang Feng, Chih-Feng Li, Chou-Ying Yang,Wei-Keng Chang,Chang-Feng Yang,Chun-Yu Wu, Yen-Cheng Lin, Tsung-Tse Yang,Chih-Yang Chang,
2024 IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) (2024): 288-290
引用0浏览0EIWOS引用
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15.7 A 32Mb RRAM in a 12nm FinFet Technology with a 0.0249μm 2 Bit-Cell, a 3.2GB/S Read Throughput, a 10KCycle Write Endurance and a 10-Year Retention at 105°C
Yi-Cheng Huang, Shang-Hsuan Liu, Hsu-Shun Chen, Hsin-Chang Feng, Chih-Feng Li, Chou-Ying Yang, Wei-Keng Chang,Chang-Feng Yang,Chun-Yu Wu, Yen-Cheng Lin, Tsung-Tse Yang,Chih-Yang Chang,
IEEE International Solid-State Circuits Conferencepp.288-290, (2024)
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Emerging Memory RRAM Embedded in 12FFC FinFET Technology for industrial Applications
Chun-Yu Wu,Chang-Feng Yang, Chih-Wei Lai, Yu-Tien Wu, Ta-Chun Chien,Ming-Han Yang, Ming-Ta Yang, Yu-Neng Kao, Chih-Lin Cheng,Chia-Yu Wang, H. W. Tseng,Yu-Der Chih,
2023 International Electron Devices Meeting (IEDM)pp.1-4, (2023)
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Low-voltage (~1.3V), Arsenic Free Threshold Type Selector with Ultra High Endurance (> 1011) for High Density 1S1R Memory Array
C. H. Wu,C. M. Lee,Y. S. Chen,H. Y. Lee,E. Ambrosi, C. F. Hsu, S. Vaziri,Y. Y. Chen, C. H. Nien, R. L. Hwang,P. J. Liao, D. H. Hou,
2021 Symposium on VLSI Technologypp.1-2, (2021)
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