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Characterization of junction dosage effect on NAND arrays with charge pumping method
C H Lee,C H Cheng, L H Chong,Y J Chen,J S Huang, S H Ku,N K Zous, I J Huang,T T Han,M S Chen,W P Lu, K C Chen,
VLSI Technology, Systems and Applicationspp.1-2, (2011)
引用0浏览0EIWOS引用
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Chip-level reliability study of barrier engineered (BE) floating gate (FG) Flash memory devices
Hangting Lue, Jifong Pan,C S Chang,Szuyu Wang, Y F Chang, Y C Lee,Mingchi Liaw,Y J Chen, Chester Lo, I J Huang,T T Han, M S Chen,
Reliability Physics Symposiumpp.627-633, (2010)
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Evaluations for a highly scalable, reliable vertical channel SONOS memory
Y F Huang,K Y Chen, K L Wei,Y J Chen, M C Hsu, G W Wu,I C Yang,T T Han, L H Chong,S H Gu,N K Zous,M S Chen,
VLSI Technology Systems and Applicationspp.59-60, (2010)
引用0浏览0EIWOS引用
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Overall operation considerations for a SONOS-based memory
C H Lee,W H Tu, L H Chong,S H Gu,Y J Chen, J Y Hsieh, I J Huang,N K Zous,T T Han,M S Chen, W P Lu, K C Chen,
Hsinchu（2009）
引用3浏览0EIWOS引用
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