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ファブ-アベイラブル材料によって構築した自己矯正及び成形無しHfO x ベース高性能RRAM
X A Tran, B Gao,J F Kang,X Wu, L Wu, Z Fang,Z R Wang,Kin Leong Pey,Y C Yeo,A Y Du,M Liu, B Y Nguyen,
international electron devices meeting (2011): 713-716
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Near-Ir Photon Emission Spectroscopy On Strained And Unstrained 60 Nm Silicon Nmosfets
S. L. Tan, K. W. Ang, K. H. Toh, D. Isakov, C. M. Chua,L. S. Koh,Y. C. Yeo, D. S. H. Chan, J. C. H. Phang
ISTFA 2007pp.81-+, (2007)
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Electronic structures of wurtzite ZnO and ZnO/MgZnO quantum well
W.J. Fan, A.P. Abiyasa, S.T. Tan, S.F. Yu, X.W. Sun,J.B. Xia,Y.C. Yeo,M.F. Li,T.C. Chong
Journal of Crystal Growthno. 1 (2006): 28-33
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Selected Topics On Hfo2 Gate Dielectrics For Future Ulsi Cmos Devices
Mf Li,Hy Yu,Yt Hou,Jf Kang,Xp Wang,C Shen,C Ren,Yc Yeo,Cx Zhu,Dsh Chan,A Chin,Dl Kwong
International Conference on Solid-State and Integrated Circuits Technology Proceedings, ICSICTno. null (2004): 366-371
引用7浏览0WOSSCOPUSEI引用
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