Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника（2022）
АО «НИИМЭ»; МФТИ (НИУ)
被引用1|浏览8
摘要
Обзорная статья посвящена мемристорным структурам с пористыми материалами в качестве буферного слоя. Использование дополнительного пористого материала к основному переключающему слою позволяет уменьшить разброс рабочих параметров мемристора, увеличить количество циклов переключения и стабильность высокоомных и низкоомных состояний.
原文链接
分享
引用
