Обзорная статья посвящена мемристорным структурам с пористыми материалами в качестве буферного слоя. Использование дополнительного пористого материала к основному переключающему слою позволяет уменьшить разброс рабочих параметров мемристора, увеличить количество циклов переключения и стабильность высокоомных и низкоомных состояний.
В данной работе представлены результаты осаждения тонких пленок оксида гафния с использованием отечественной установки «Изофаз Т. 200-01», разработанной НИИТМ. В качестве прекурсоров были использованы TEMAH (тетракис(этилметиламино)гафний(IV)) и плазма кислорода. Были получены тонкие пленки различной толщины (100-300 А) с отличной равномерностью по толщине и высокого качества.
В работе приведены некоторые результаты атомно-слоевого осаждения тонких пленок оксида гафния на новой установке российского производства «Изофаз ТМ 200-01».
В данной работе рассматриваются существующие методы атомно-слоевого осаждения пленок кобальта, рутения и их оксидов для применения в различных целях в области микроэлектроники.
