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高性能多模可编程CMOS输出缓冲器的研究实现 | AMiner
高性能多模可编程CMOS输出缓冲器的研究实现
陈子晏
,
马和良
,
陈磊
,
杨华
,
周灏
,
谢传文
,
赖宗声
,
景为平
CHINESE JOURNAL OF ELECTRON DEVICES(2008)
Institute of Microelectronics Circuit & System
被引用
23
|
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9
摘要
提出了一种应用于专用集成电路(ASIC)和FPGA高速IO接口的通用型数据输出缓冲器(Output Buffer)及其ESD(Electrostatic Discharge)保护电路。电路采用新型三组电源供电模式,通过编程点精确控制输出驱动能力,支持多达16种最常用的数据传输协议,电路采用SMIC0.18μm CMOS MM工艺实现。仿真结果表明:output buffer输出信号可满足所有协议的电气要求,支持的所有协议均至少可在250MHz频率下进行数据传输,传输延迟保持在660ps~1180ps之间。
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关键词
High-Voltage ESD,
LDMOS Design,
CMOS Technology,
System-Level ESD Test,
High-Mobility Transistors
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