Экспериментально показаны возможности метода in situ мониторирования ионно-электронной эмиссии для выявления эффектов глубокого модифицирования поверхности высокоориентированного пиролитического графита при высоких флюенсах ионного облучения и определения порогового уровня радиационных нарушений, обуславливающих эти эффекты.
с энергией 1030 кэВ. Установлены и оценены пороговые уровни радиационных нарушений, приводящих к аморфизации при комнатной температуре и ионно-индуцированному гофрированию углеродных ПАН-волокон при температурах, бльших температуры динамического отжига радиационных нарушений. льших температуры динамического отжига радиационных нарушений.
Приводятся результаты исследования распыления и эрозии базисной грани высокоориентированного пирографита марки УПВ-1Т при облучении ионами Аr+ с энергией 30 кэВ в диапазоне температур от комнатной до 400°С. Найдено, что развивающийся при повышенных температурах ионно-индуцированный рельеф приводит к двукратному увеличению коэффициента распыления (Y = 2) по сравнению с распылением поверхности с наноразмерным рельефом при температурах, меньших температуры текстурного перехода Тt 150°С. Моделирование распыления по программе OKSANA поверхности с синусоидальным нанорельефом, отражающим нестабильность базисной грани УПВ-1Т при ионном облучении, позволило оценить отношение амплитуды к периоду рельефа при T < Tt.
Приводятся и обсуждаются недавно полученные результаты экспериментальных исследований распыления, ионно-электронной эмиссии, элементного состава, структуры и топографии измененного поверхностного слоя углеродных материалов (поликристаллические графиты, высокоориентированный пирографит, стеклоуглероды и другие) при высокодозном ионном облучении.
Приводятся результаты исследования коэффициентов распыления Y и ионно-электронной эмиссии γ, элементного состава, топографии и кристаллической структуры поверхностного слоя стеклоуглерода при высокодозном облучении (D ≥ 10 18 см 2) ионами молекулярного азота N 2 + с энергией 30 кэВ. Найдено, что при нормальном падении ионного пучка Y = 0.9 ат./ат.ион, что в 1.4 раза больше, чем для поликристаллического графита марки POCO-AXF-5Q. Температурная зависимость γ обнаруживает скачок (при T a ~ 100°C), характерный для кривых отжига радиационных нарушений. Установлено, что топография поверхности, структура модифицированного слоя, концентрация внедренного азота, содержание примесей - водорода и кислорода - различаются при температурах выше и ниже температуры T a.
