Проанализированы основные источники привносимой дефектности изделий микро- и наноэлектроники в вакуумном технологическом оборудовании кластерного типа. Рассмотрены механизмы формирования потоков мелкодисперсных частиц в шлюзовых и технологических вакуумных камерах, молекулярных загрязнений и следов металлов в результате изнашивания конструкционных материалов и трибодесорбции.

Представлены результаты исследований процесса осаждения пленок толщиной менее 100 нм методом электронно-лучевого испарения на специальном вакуумном технологическом оборудовании. Приведены результаты расчета величины энергомассопереноса для получения пленок ITO, Ag и Al с заданной структурой, однородностью состава и шероховатостью

В статье представлены современные применения и преимущества электронно-лучевой технологии в обработке стекла и керамических материалов. Рассмотрена конструкция и технологические возможности вакуумной установки «ЛУЧ» для электронно-лучевой плавки, сварки и размерной микрообработки электровакуумного стекла и керамических материалов, в том числе LTCC керамики.

АннотацияКлючевые слова В настоящее время широкий интерес проявляется к улучшению оптических характеристик тонких пленок металлов, применяемых в нанооптике и наноплазмонике.Для минимизации потерь пленок в плазмонике необходимо использовать квазимонокристаллические пленки.Рассмотрена задача формирования сплошных пленок квазимонокристаллического серебра с высоким аспектным отношением размера кристаллита к толщине пленки.Проанализированы механизмы роста и выбраны подложки для роста квазимонокристаллической пленки, приведены экспериментальные данные и СЭМ-изображения полученных пленок.Проведено разделение на три области роста по соотношениям интенсивности потока серебра и энергии системы пленка-подложка, получены основные зависимости размера кристаллита от скорости осаждения и температуры подложки.В результате проведенных ис