以BGA器件为研究对象,在BGA回流焊接二次塌陷百分比、最小电气间隙的不同水平时,计算分析技术指标参数变化趋势,研究一种高可靠性安全贴装BGA最大直径优选算法,能够指导设计人员快速匹配BGA设计与器件的正确选型,确定了BGA高可靠性安全贴装判据,提高设计工艺性.提出一种自动贴片机高精度光瞄测试对中识别BGA焊球缺陷特征的检测和统计方法,通过研究HR600返修系统高精度贴装技术,解决了BGA底部标识(Mark)点使用自动贴片机不识别无法贴装的技术难题,当BGA焊球中心位置偏差较大且焊球最大直径小于10%时,从实践中推荐BGA优化工艺参数,在最大程度上减少BGA桥连、锡球多余物等焊接缺陷发生的概率,提高工艺过程能力和可靠度,实现降本增效可满足多品种、小批量科研生产的需要,具有一定的实用价值.
提出一种基于Faster RCNN(Faster Region with Convolutional Neural Networks)的电路板缺陷图像自动检测方法.该方法首先应用ResNet50网络作为主干网络以提取缺陷图像特征;然后针对电路板图像中缺陷的极端长宽比特点,提出基于特征金字塔的区域推荐网络,得到多尺度特征融合图并生成建议框;最后,通过对感兴趣区域进行池化处理,并结合后续网络实现对电路板图像上缺陷的快速检测.试验证明,所提算法能够快速定位出电路板图像中的各种缺陷,并能实现准确的自动分类识别.
采用气体净化法与熔体过滤法对Sn3.0Ag0.5Cu合金进行纯化处理,以纯化前后合金为原料制备焊锡球,研究合金纯度对BGA焊锡球成型良率及成型质量的影响.结果表明,合金纯度的提高有利于大幅度改善焊锡球成型良率与成型质量,而采用气体净化法能有效去除合金中杂质,提高合金纯度.
铝带超声键合过程中需要极大的键合能量和键合力作用在芯片表面,易造成芯片焊点界面损伤,从而引起产品质量与可靠性问题.详细分析了铝带超声键合工艺中造成芯片界面损伤的主要因素与作用机理,并通过键合参数的试验设计(Design of experiment,DOE)来解决芯片焊点界面损伤问题,从而提升最终产品良率.
生产执行系统是一套面向制造企业车间运行控制的生产信息化系统.该系统是工厂通过计算机集成制造系统实现设备信息集成的纽带,是高效实施企业智能制造战略和车间生产全流程自动化控制的通用技术手段.介绍了生产执行系统与计算机集成制造系统的概念、功能,以及在显示面板制造领域中二者之间的关系,描述了在该领域中生产执行系统的典型构成,最后指出显示面板行业中生产执行系统的发展方向.
某型逆变器驱动电路中的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块使用中频繁出现短路失效现象,为了分析失效原因,对现场取回的典型IGBT失效件进行电学性能、X-ray测试、显微镜测试,扫描电子显微镜及能谱测试分析.根据故障树及失效模式理论确定该IGBT失效件的一级失效模式是过流失效,二级失效模式是电路中出现的过载脉冲电流引起的过流失效,三级失效模式是设备使用过程中,超负荷运转导致的逆频器过载.
在传统TO光器件封焊工艺中,封焊精度主要依靠管壳外径与管帽外径的尺寸公差决定.为了增强光芯片透过管帽透镜的出光功率,提高后道耦合效率,需解决管帽透镜中心与光芯片高精度对位的关键技术难题,将视觉定位技术引入封焊工艺是重要解决路径..
生瓷坯切割作为低温共烧陶瓷(LTCC)工艺中的重要工序,对产品的外形尺寸和产品外观形貌具有关键的影响.针对热切时生坯外形毛边产生原因进行了分析,确定了浆料的分散特性、粘结剂含量及粘结剂/增塑剂的比值、切割温度是切割时产生毛边的主要原因.通过对粉体形貌及粒度分布、浆料分散特性、浆料配方中的粘结剂含量以及粘结剂/增塑剂含量之比、切割温度进行优化,明显改善了切割毛边问题.
基于国产肖特基变容二极管,设计了一种170 GHz高功率二倍频器.为了提高肖特基二极管的散热效率,微带基板选用高热导率的氮化铝材料,基片粘接选用一种高热导率的导电银胶.通过实测数据可知,倍频器在171～189 GHz频段内的倍频效率大于10%.当输入功率为100～200 mW时,具有最大倍频效率20.5%;当输入功率为500～1 000 mW时,具有最大输出功率91 mW.
NP0特性多层陶瓷电容器(MLCC)在电子产品中广泛使用,在使用过程中不可避免会出现温度变化,芯片内部易产生热应力.应力会使MLCC内部瓷介在最薄弱的地方产生微裂纹,影响产品的可靠性.研究了排胶工艺对NP0特性薄介质MLCC热应力裂纹的影响.结果发现通过优化排胶工艺可以使得生坯中排胶后的残留碳减少,从而减少其在高温烧结过程中与内电极的氧化镍反应后导致瓷介存在的体积变化,可以有效预防NP0特性薄介质热应力裂纹的产生.
在放大器芯片仿真数据不充分的情况下,将印制电路布版设计、工艺装配分析、封装类型选择与布局优化的多种技术融合.基于现有工艺装配能力,通过高频传输通道电性能指标直接测试,验证了适合电路设计退耦要求的4组不同大小容值的典型搭配,获得了一种新型的放大器芯片退耦电路设计,解决了多通道布局中小电容贴装难、大电容排不下的难题.进一步创新提出了图形阵列排布的电容代替分立电容的方案,提高了电容排列的集成度与贴装效率,显著降低了模块的生产成本.
某型微波组件射频绝缘子与外部微带线采用焊锡直接焊接方式,在产品试验验证阶段出现了绝缘子与外部微带线的连接故障.先对故障现象进行分析判断,再利用有限元仿真软件比较焊锡焊接(硬连接)和铜带搭焊(软连接方式之一)在温度循环载荷下的应力情况,从而获得最优化的连接方式;最后在产品上使用铜带搭焊方式进行试验验证和技术指标仿真验证,验证结果证明铜带搭焊方式可靠.研究结果可为同类产品中绝缘子和微带线互联提供了一定的参考.
为了缩小光组件的跟踪误差的范围,以保持光组件在高低温工作状态下输出功率稳定性,对耦合和激光焊接工艺进行了研究.通过对光组件关键工艺参数开展大量对比优化试验,深入分析了耦合离焦量、焊接能量、焊点个数对光组件跟踪误差的影响,得到优化后工艺参数:耦合离焦量为26 μm,单脉冲焊接能量为3 J,焊点为12点均分.采用优化后的工艺参数进行了100支器件小批制作和测试,结果表明,光组件的跟踪误差能从±1.5 dB缩小到±1.3 dB.
针对适用于低应力氮化硅薄膜淀积的低压化学气相沉积(LPCVD)工艺中出现的薄膜应力大、应力均匀性差、工艺颗粒超标的问题,设计开发出一种适用于半导体器件的低应力立式LPCVD设备.在结构上,工艺腔采用双管式结构,内管为直筒式结构,以提高气流场均匀性;增加舟旋转功能,以提高晶圆表面的气体浓度一致性;在工艺设计上,验证并确定最佳的DCS(二氯二氢硅)与NH3气体流量比例,以及温度和真空度.通过工艺优化及验证,得到应力低于200 MPa的薄膜的淀积工艺.
第三代半导体材料成本居高不下是行业发展痛点.与传统线切割技术相比,激光改质剥离技术具有材料损耗少、加工效率高、晶圆产出多等优势,已成为国际竞相发展的第三代半导体材料加工革命性技术.介绍了第三代半导体晶体激光诱导改质技术的国内外研究现状,重点阐述了改质区裂纹扩展机制研究、像差校正空间整形技术研究和激光诱导改质设备研制方面的内容.
选取了一种半烧结型银浆进行粘接工艺研究,通过剪切强度测试和空洞率检测确定了合适的点胶工艺参数,并进行了红外热阻测试和可靠性测试.结果表明,该半烧结型银浆的工艺操作性好,烧结后胶层空洞率低;当胶层厚度控制在30 μm左右时,剪切强度达到25.73 MPa;采用半烧结型银浆+TSV转接板的方式烧结功放芯片,其导热性能满足芯片的散热要求;经过可靠性测试后,烧结芯片的剪切强度没有下降,具有较高的稳定性和可靠性,可用于晶圆级封装中功率芯片的粘接.
研究了<100>重掺硼硅单晶中出现的一种特殊原生位错,分析了腐蚀坑的形态以及腐蚀坑的排列规律,认为单晶生长过程中固液界面局部区域发生严重组分过冷导致了位错产生.设计了采用不同晶体生长速度的重掺硼单晶生长的试验,得到了无特殊原生位错的重掺硼单晶,同时还发现组分过冷不仅出现在晶体等径阶段,在放肩和收肩阶段同样可能发生.
在SMT制程中,钢网模板开口尺寸决定了锡膏量的多少,而锡膏量对最终焊点的形态和连接质量有最直接的影响.以锡膏量为研究对象,用有限元分析方法对QFP引脚的三种不同钢网模板开口尺寸(对应不同锡膏量)所焊接的QFP焊点进行仿真,在施加温度循环载荷的情况下,比较这三种锡膏量所焊接焊点的可靠性,最终得出最优化的QFP引脚模板开口尺寸并应用到产品中,再通过试验验证仿真的正确性,研究结果为QFP器件在SMT焊接中钢网模板开口尺寸设计提供了理论指导.
滤波器作为微波接收机、发射机和测试设备中的一个重要组成部分,担任着信号选择、分离和组合的重要任务,在通信和雷达中具有广泛的应用.研究了导体表面粗糙度对带通滤波器工作频率、插入损耗和带宽的影响.为了保证滤波器的质量和成品率,需要对基板导体层的表面粗糙度进行控制.
