B. A. Zakalov | AMiner学者主页

全面呈现 [B. A. Zakalov] 的学术影响力

深度挖掘高质量成果与权威引用，让优秀看得见

研究兴趣

暂无数据

论文（7）

专利

基金项目

按年份排序按引用量排序主题筛选期刊级别筛选合作者筛选合作机构筛选

1Установка Ионно-Пучковой И Плазмохимической Прецизионной Коррекции Формы Оптических Поверхностей

И. Г. Забродин,Б. А. Закалов,И. А. Каськов,А. Е. Пестов,Н. Н. Салащенко,Н. И. Чхало

2013Поверхность Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования

引用

AI阅读

2Установка Магнетронного И Ионно-Пучкового Напыления Многослойных Структур

И. Г. Забродин,Б. А. Закалов,И. А. Каськов,Е. Б. Клюенков,В. Н. Полковников,Н. Н. Салащенко,С. Д. Стариков,Л. А. Суслов

2013Поверхность Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования引用：1

引用

AI阅读

3Device for the Precise Shape Correction of Optical Surfaces by Ion-Beam and Reactive Plasma Etching

I. G. Zabrodin,B. A. Zakalov,I. A. Kas’kov,A. E. Pestov,N. N. Salashchenko,N. I. Chkhalo

A device for the precise shape correction of optical surfaces of any irregular shape (convex, concave) up to 300 mm in diameter by means of ion-beam and reactive plasma etching is described. The possibilities of the device allow the fabrication of optical elements with a root-mean-square deviation from the desired shape on the level of 0.3 to 1.0 nm.

2013Journal of Surface Investigation X-ray Synchrotron and Neutron Techniques（2013）引用：11

引用

AI阅读

4Apparatus for the Magnetron and Ion-Beam Synthesis of Multilayer Structures

I. G. Zabrodin,B. A. Zakalov,I. A. Kas’kov,E. B. Klyuenkov,V. N. Polkovnikov,N. N. Salashchenko,S. D. Starikov,L. A. Suslov

The paper describes a new apparatus for the magnetron and ion-beam synthesis of multilayer structures. The process parameters and operating conditions are presented, and the expected effects are discussed.

2013Journal of Surface Investigation X-ray Synchrotron and Neutron Techniques（2013）引用：5

引用

AI阅读

5СТЕНД ПРОЕКЦИОННОГО ЭУФ-НАНОЛИТОГРАФА-МУЛЬТИПЛИКАТОРА С РАСЧЕТНЫМ РАЗРЕШЕНИЕМ 30 НМ

Д. Г. Волгунов,И Г Забродин,Б А Закалов,С Ю Зуев,И А Каськов,Е Б Клюенков,А Е Пестов,В Н Полковников,Н. Н. Салащенко,Л А Суслов,М Н Торопов,Н И Чхало

Сообщается о созданном в ИФМ РАН, впервые в России, стенде нанолитографа-мультипликатора с рабочей длиной волны 13.5 нм и расчетным пространственным разрешением 30 нм. Дано подробное описание принципов и подходов, использованных при построении стенда и его основных узлов. Сообщается о планируемых работах с использованием стенда.

2011Известия Российской академии наук Серия физическая

引用

AI阅读

6A Stand for a Projection EUV Nanolithographer-Multiplicator with a Design Resolution of 30 Nm

D. G. Volgunov,I. G. Zabrodin,B. A. Zakalov,S. Yu. Zuev,E. B. Kluenkov,A. E. Pestov,V. N. Polkovnikov,N. N. Salashchenko,L. A. Suslov,M. N. Toropov,N. I. Chkhalo

An original stand for a nanolithographer-multiplicator with an operating wavelength of 13.5 nm and a design spatial resolution of 30 nm has been developed in Russia at the Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences. A detailed description of basic principles and approaches used when constructing the stand and its key elements is given. The experiments planned to be performed using the stand are discussed.

2011Bulletin of the Russian Academy of Sciences Physics（2011）引用：19

引用

AI阅读

7АБСОЛЮТНО КАЛИБРОВАННЫЙ ИЗМЕРИТЕЛЬ ЭУФ-МОЩНОСТИ ДЛЯ АТТЕСТАЦИИ ИСТОЧНИКОВ ИЗЛУЧЕНИЯ НА 13.5 НМ

И Г Забродин,Б А Закалов,С Ю Зуев,И А Каськов,Е Б Клюенков,А Я Лопатин,А Е Пестов, Н,Л А Суслов,Н И Чхало,Л А Шмаенок

Описывается малогабаритный измеритель мощности излучения на длину волны 13.5 нм. Прибор предназначен для измерения мощности и аттестации источников излучения для ЭУФ-литографии. Чувствительность прибора составляет 0.033 А/Вт при обнаружительной способности 3. 3 ? 10-10 Вт. Отличительной особенностью прибора является возможность быстрой перестройки спектральной полосы пропускания, что позволяет использовать его в оптических схемах с произвольным числом зеркал, при этом полосы пропускания прибора и оптической схемы будут совпадать.

2007Поверхность Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования

引用

AI阅读